به گزارش سرویس فناوری خبرگزاری دانشجویان ایران (ایسنا)- منطقه خراسان، ساخت مدارهای الکترونیکی با استفاده از ابررسانا‌ها می‌تواند توان پردازش بسیار بیشتری را در حدود 770 گیگاهرتز یا در حدود 500 برابر سریعتر از آیفون 6 ارائه کند.

آدام مک‌گوکان، محقق و مهندس الکترونیک دانشگاه MIT اظهار کرد: پس از ابداع اولین مدارهای ابررسانا که توسط پروفسور دادلی باک در سال 1950 ساخته شدند، امکان ساخت مدار‌ها با استفاده از ابررسانا‌ها امکان‌پذیر شد.

وی در ادامه افزود: دنیای ابررسانا‌ها اغلب شاهد ظهور و افول ایده‌های الکترونیکی زیادی بوده است که اغلب هیچگاه به وسایلی حقیقی تبدیل نشده‌اند. در مطالعات ما ساخت وسایل الکترونیکی نظیر رایانه و تلفن همراه با این شیوه قطعا در آینده‌ای نزدیک امکان‌پذیر است.

ابررسانا‌ها موادی هستند که هیچ مقاومت الکترونیکی در برابر جریان الکتریسیته عبوری از خود نشان نمی‌دهند، به طوری‌که الکترون در یک مدار ساخته شده با ابررسانا می‌تواند با آزادی و بدون برخورد با اتم‌ها که بازده مدار را کم می‌کند آزادنه عبور کند.

جزئیات این مطالعه در نشریه Nano Letters منتشر شده است.

انتهای پیام