به گزارش سرویس فناوری ایسنا، نسل جدید ترانزیستورهای اثر میدانی آلی (OFETs) توسط محققان موسسه علوم مواد ژاپن تولید شده است؛ این ترانزیستورها برای ساخت قطعات الکترونیکی ارزان قیمت مانند دستگاههای الکترونیک انعطافپذیر و قابل چاپ کاربرد دارند.
این دستاورد مهمترین پیشرفت در حوزه توسعه ترانزیستورهای اثر میدانی منتشرکننده نور (LE-OFETs) از زمان تولید در سال 2003 محسوب میشود.
از طریق نسل جدید ترانزیستورهای اثر میدانی آلی، زمان پاسخدهی سیستم را کاهش داده و باعث ارتقای کارآیی دستگاه الکترونیک میشود.
محققان در تلاش هستند تا درخشندگی و بهرهوری انتشار نور این ترانزیستور را ارتقا دهند که امکان استفاده از آن را در سیستمهای مخابراتی نوری و سیستمهای اپتوالکترونیک از جمله در فناوری لیزری فراهم میکند.
انتهای پیام
5711697